N-штир навантаження 50 Ом, 10 Вт, 18 ГГц
Матеріали та покриття
| Матеріали | Покриття | |
| Центральний контакт | CuBe2, CuPb1.15Ni1(C97) | Cu2Ag5 | 
| Зовнішній контакт | CuZn39Pb3 | CuSnZn3 (Telealloy), Ag2CuSnZn0.5 (Optargen) | 
| Інші металеві частини | CuZn39Pb3 | CuSnZn3 (Telealloy), Cu2Ni5 | 
| Діелектрик | PTFE | – | 
| Прокладка | силіконовий ущільнювач | – | 
Технічні характеристики
Хвильовий опір: 50 Ом
Частотний діапазон: 0 – 18 ГГц
Електрична міцність: 2.5 кВ, СКЗ, 50 Гц
Втрати на 1 ГГц (прямий корпус): ≥ 30.5 дБ
Втрати на 1 ГГц (кутовий корпус): ≥ 30.5 дБ
Потужність: 1 Вт, 1 ГГц
Робоча напруга: 1 кВ, СКЗ, 50 Гц
Опір ізоляції: ≥ 5 ГОм
Опір центрального контакту: ≤ 2 мОм
Опір зовнішнього контакту: ≤ 0.5 мОм
Механічні характеристики
Затягувальний момент: 4 – 6 Нм
Кількість циклів з’єднання: ≥ 500
Відповідає стандарту: IEC 61169-16














 
															 
															 
															 
															 
															 
				 
				
 
				 
								 
								 
															
							 Нова Пошта або самовивіз із нашого складу
 Нова Пошта або самовивіз із нашого складу 
															
							 
															
							 
		 
		 
				 
		 
				 
		 
				 
		 
		 
				 
		 
				 
		 
				 
											 
											
Відгуки
Відгуків немає, поки що.